GB∕T 1551-2021 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法
- 文件大小：17.24 MB
- 标准类型：电子信息
- 标准语言：中文版
- 文件类型：PDF文档
- 更新时间：2021-06-30
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资料介绍
GB∕T 1551-2021 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法
标准简介
本文件规定了用直排四探针法和直流两探针法测试硅单晶电阻率的方法。
本文件适用于硅单晶电阻率的测试，其中直排四探针法可测试的p型硅单晶电阻率范围为7 10-4 ·cm～8 103 ·cm，n型硅单晶电阻率范围为7 10-4 ·cm～1.5 104 ·cm；直流两探针法适用于测试截面积均匀的圆形、方形或矩形硅单晶的电阻率，测试范围为1 10-3 ·cm～1 104 ·cm，样品长度与截面最大尺寸之比不小于3:1。硅单晶其他范围电阻率的测试可参照本文件进行。
发布日期： 2021-05-21
实施日期： 2021-12-01
标准简介
本文件规定了用直排四探针法和直流两探针法测试硅单晶电阻率的方法。
本文件适用于硅单晶电阻率的测试，其中直排四探针法可测试的p型硅单晶电阻率范围为7 10-4 ·cm～8 103 ·cm，n型硅单晶电阻率范围为7 10-4 ·cm～1.5 104 ·cm；直流两探针法适用于测试截面积均匀的圆形、方形或矩形硅单晶的电阻率，测试范围为1 10-3 ·cm～1 104 ·cm，样品长度与截面最大尺寸之比不小于3:1。硅单晶其他范围电阻率的测试可参照本文件进行。
发布日期： 2021-05-21
实施日期： 2021-12-01