超清版 GB/T 43885-2024 碳化硅外延片
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- 更新时间：2025-03-19
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资料介绍
ICS29.045
CCS H 83
中华人民共和国国家标准
GB/T43885—2024
碳化硅外延片
Siliconcarbideepitaxialwafers
2024-04-25发布2024-11-01实施
国家市场监督管理总局
国家标准化管理委员会发布
前 言
本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
请 注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本文件起草单位:南京国盛电子有限公司、广东天域半导体股份有限公司、上海天岳半导体材料有
限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、瀚天天成电子科技(厦门)股份有限公司、TCL环鑫半导体
(天津)有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、南京盛鑫半导体材料有限公司、山西烁科晶
体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、安徽长飞先进半导体有限公司、中电化合物半导体有限
公司、上海合晶硅材料股份有限公司、江苏华兴激光科技有限公司、杭州乾晶半导体有限公司、湖南三安
半导体有限责任公司、浙江晶睿电子科技有限公司、宁波合盛新材料有限公司、沈阳星光技术陶瓷有限
公司、深圳基本半导体有限公司、海迪科(南通)光电科技有限公司、哈尔滨科友半导体产业装备与技术
研究院有限公司、连科半导体有限公司。
本文件主要起草人:李国鹏、仇光寅、刘勇、骆红、李素青、丁雄杰、舒天宇、佘宗静、冯淦、杨玉聪、
王银海、侯晓蕊、薛宏伟、刘红超、金向军、尚海波、刘薇、王岩、徐所成、李毕庆、陈浩、袁肇耿、周勋、刘长春、
汪之涵、黄勤金、赵丽丽、胡动力、和巍巍。
1 范围
本文件规定了碳化硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输与贮存、
随行文件和订货单内容。
本文件适用于在导电型碳化硅衬底上,生长碳化硅同质外延层的外延片,产品用于制作碳化硅电力
电子器件。
2 规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文
件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于
本文件。
GB/T2828.1—2012 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样
计划
GB/T6624 硅抛光片表面质量目测检验方法
GB/T14146 硅外延层载流子浓度测定 电容-电压法
GB/T14264 半导体材料术语
GB/T19921 硅抛光片表面颗粒测试方法
GB/T29505 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法
GB/T30656 碳化硅单晶抛光片
GB/T32278 碳化硅单晶片平整度测试方法
GB/T39145 硅片表面金属元素含量的测定 电感耦合等离子体质谱法
GB/T42902 碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法
GB/T42905 碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法
YS/T28 硅片包装
3 术语和定义
GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。
4 产品分类
4.1 碳化硅外延片按外延层导电类型分为n型和p型。n型外延层载流子元素为氮,p型外延层载流
子元素为铝。
4.2 碳化硅外延片按直径分为76.2mm、100.0mm、150.0mm、200.0mm 等类型。
4.3 碳化硅外延片按晶型分为4H 和6H。
1
GB/T43885—2024
5 技术要求
5.1 总则
碳化硅外延片合格质量区(FQA)的边缘去除要求符合表1的规定。
表1 边缘去除区
直径
mm
边缘去除区
mm
76.2 2.0
100.0 3.0
150.0 3.0
200.0 3.0
5.2 衬底材料
碳化硅外延片用衬底材料应符合GB/T30656的规定。衬底片的技术要求由供方保证,如有需求
可由供方提供检测值。
5.3 缓冲层
p型碳化硅外延片一般无缓冲层要求。n型碳化硅外延片缓冲层的导电类型是n型,其载流子元
素为氮,具体要求应符合表2的规定。
表2 缓冲层
外延层厚度
μm
缓冲层厚度
μm
缓冲层载流子浓度
cm-3
<20 0.5±20%
≥20 1.0±20% 1E18±25%
5.4 外延层
5.4.1 载流子浓度
碳化硅外延片的外延层载流子浓度及其允许偏差和径向载流子浓度变化应符合表3的规定。
表3 外延层载流子浓度及其允许偏差和径向载流子浓度变化
导电类型
外延层厚度
μm
外延层载流子浓度
cm-3
要求
直径
76.2mm
直径
100.0mm
直径
150.0mm
直径
200.0mm
n型
0.2~4
>4~20
>20~50
>50~150
5E13~2E19 载流子浓度允许偏差
±50% ±50% ±50% ±50%
±10% ±10% ±15% ±15%
±15% ±15% ±20% ±20%
±25% ±25% ±30% ±30%
2
GB/T43885—2024
表3 外延层载流子浓度及其允许偏差和径向载流子浓度变化(续)
导电类型
外延层厚度
μm
外延层载流子浓度
cm-3
要求
直径
76.2mm
直径
100.0mm
直径
150.0mm
直径
200.0mm
n型
0.2~4
>4~20
>20~50
>50~150
5E13~2E19 径向载流子浓度变化
≤15% ≤15% ≤15% ≤15%
CCS H 83
中华人民共和国国家标准
GB/T43885—2024
碳化硅外延片
Siliconcarbideepitaxialwafers
2024-04-25发布2024-11-01实施
国家市场监督管理总局
国家标准化管理委员会发布
前 言
本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
请 注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本文件起草单位:南京国盛电子有限公司、广东天域半导体股份有限公司、上海天岳半导体材料有
限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、瀚天天成电子科技(厦门)股份有限公司、TCL环鑫半导体
(天津)有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、南京盛鑫半导体材料有限公司、山西烁科晶
体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、安徽长飞先进半导体有限公司、中电化合物半导体有限
公司、上海合晶硅材料股份有限公司、江苏华兴激光科技有限公司、杭州乾晶半导体有限公司、湖南三安
半导体有限责任公司、浙江晶睿电子科技有限公司、宁波合盛新材料有限公司、沈阳星光技术陶瓷有限
公司、深圳基本半导体有限公司、海迪科(南通)光电科技有限公司、哈尔滨科友半导体产业装备与技术
研究院有限公司、连科半导体有限公司。
本文件主要起草人:李国鹏、仇光寅、刘勇、骆红、李素青、丁雄杰、舒天宇、佘宗静、冯淦、杨玉聪、
王银海、侯晓蕊、薛宏伟、刘红超、金向军、尚海波、刘薇、王岩、徐所成、李毕庆、陈浩、袁肇耿、周勋、刘长春、
汪之涵、黄勤金、赵丽丽、胡动力、和巍巍。
1 范围
本文件规定了碳化硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输与贮存、
随行文件和订货单内容。
本文件适用于在导电型碳化硅衬底上,生长碳化硅同质外延层的外延片,产品用于制作碳化硅电力
电子器件。
2 规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文
件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于
本文件。
GB/T2828.1—2012 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样
计划
GB/T6624 硅抛光片表面质量目测检验方法
GB/T14146 硅外延层载流子浓度测定 电容-电压法
GB/T14264 半导体材料术语
GB/T19921 硅抛光片表面颗粒测试方法
GB/T29505 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法
GB/T30656 碳化硅单晶抛光片
GB/T32278 碳化硅单晶片平整度测试方法
GB/T39145 硅片表面金属元素含量的测定 电感耦合等离子体质谱法
GB/T42902 碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法
GB/T42905 碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法
YS/T28 硅片包装
3 术语和定义
GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。
4 产品分类
4.1 碳化硅外延片按外延层导电类型分为n型和p型。n型外延层载流子元素为氮,p型外延层载流
子元素为铝。
4.2 碳化硅外延片按直径分为76.2mm、100.0mm、150.0mm、200.0mm 等类型。
4.3 碳化硅外延片按晶型分为4H 和6H。
1
GB/T43885—2024
5 技术要求
5.1 总则
碳化硅外延片合格质量区(FQA)的边缘去除要求符合表1的规定。
表1 边缘去除区
直径
mm
边缘去除区
mm
76.2 2.0
100.0 3.0
150.0 3.0
200.0 3.0
5.2 衬底材料
碳化硅外延片用衬底材料应符合GB/T30656的规定。衬底片的技术要求由供方保证,如有需求
可由供方提供检测值。
5.3 缓冲层
p型碳化硅外延片一般无缓冲层要求。n型碳化硅外延片缓冲层的导电类型是n型,其载流子元
素为氮,具体要求应符合表2的规定。
表2 缓冲层
外延层厚度
μm
缓冲层厚度
μm
缓冲层载流子浓度
cm-3
<20 0.5±20%
≥20 1.0±20% 1E18±25%
5.4 外延层
5.4.1 载流子浓度
碳化硅外延片的外延层载流子浓度及其允许偏差和径向载流子浓度变化应符合表3的规定。
表3 外延层载流子浓度及其允许偏差和径向载流子浓度变化
导电类型
外延层厚度
μm
外延层载流子浓度
cm-3
要求
直径
76.2mm
直径
100.0mm
直径
150.0mm
直径
200.0mm
n型
0.2~4
>4~20
>20~50
>50~150
5E13~2E19 载流子浓度允许偏差
±50% ±50% ±50% ±50%
±10% ±10% ±15% ±15%
±15% ±15% ±20% ±20%
±25% ±25% ±30% ±30%
2
GB/T43885—2024
表3 外延层载流子浓度及其允许偏差和径向载流子浓度变化(续)
导电类型
外延层厚度
μm
外延层载流子浓度
cm-3
要求
直径
76.2mm
直径
100.0mm
直径
150.0mm
直径
200.0mm
n型
0.2~4
>4~20
>20~50
>50~150
5E13~2E19 径向载流子浓度变化
≤15% ≤15% ≤15% ≤15%