T/IAWBS 008-2019 SiC晶片的残余应力检测方法

本标准规定了SiC晶片内部残余应力的光学无损检测方法。
本标准适用于晶片厚度适当，对波长400-700nm的可见光范围内测试光的透过率在30%以上的SiC晶片。